复旦大学研制半导体性光刻胶，完成特大规划集成度有机芯片制作
时间:2025-05-12 23:50:17 出处:NBA阅读（143）
IT之家 7 月 8 日音讯，复旦IT之家从复旦大学高分子科学系得悉，大学大规该校研讨团队规划了一种新式半导体性光刻胶，研制有机使用光刻技能在全画幅标准芯片上集成了 2700 万个有机晶体管并完成了互连。半导，体性集成度到达特大规划集成度（ultra-large-scale integration，光刻ULSI）水平。胶完
▲（a）光刻胶组成；（b）光刻胶集合态结构；（c）在不同衬底上加工的有机晶体管阵列；（d）有机晶体管阵列结构示意图；（e）与其他办法的像素密度比照。
2024 年 7 月 4 日，划集该效果以《根据光伏纳米单元的芯片高功能大规划集成有机光电晶体管》为题发表于《天然・纳米技能》。
芯片集成度能够分为小规划集成度 (SSI)、中规划集成度 (MSI)、复旦大规划集成度 (LSI)、大学大规超大规划集成度 (VLSI) 和特大规划集成度 (ULSI)，研制有机此前，半导有机芯片的制作办法首要包括丝网印刷、喷墨打印、真空蒸镀、光刻加工等，集成度一般只能到达大规划集成度 (LSI) 水平。。
光刻胶又称为光致抗蚀剂，在芯片制作中扮演着要害人物，通过曝光、显影等进程能够将所需求的微细图形从掩模板转移到待加工基片上，是一种光刻工艺的根底资料。
复旦团队规划了一种由光引发剂、交联单体、导电高分子组成的新式功用光刻胶。光交联后形成了纳米标准的互穿网络结构，兼具杰出的半导体功能、光刻加工功能和工艺稳定性。该光刻胶不仅能完成亚微米量级特征标准图画的牢靠制作，并且。该图画自身便是一种半导体。，然后简化了芯片制作工艺。
光刻制作的有机晶体管互连阵列包括 4500×6000 个像素，集成密度到达 3.1×106 单元每平方厘米，即在全画幅标准芯片上集成了 2700 万个器材，到达特大规划集成度 (ULSI)，其光呼应度到达 6.8×106 安培每瓦特，高密度阵列能够转移到柔性衬底上，完成了仿生视网膜使用。。
论文地址：https://www.nature.com/articles/s41565-024-01707-0。